韓国科学技術院(KAIST)の電子電算学科の崔梁圭(チェ・ヤンギュ)教授チームとナノ総合ファブセンターは13日、世界最小の8ナノメートル級3次元次世代非揮発性フラッシュメモリー素子を共同で開発したと明らかにした。
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