SKハイニックス　超高速メモリー開発＝来年に商用化

【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手、SKハイニックスは26日、シリコン貫通電極（TSV、Through　Silicon　Vias）技術を適用した超高速メモリー（HBM）DRAM製品を開発したと発表した。