KAIST　曲がる半導体回路の開発に成功

【大田聯合ニュース】国立大学の韓国科学技術院（KAIST）新素材工学科の李建載（イ・ゴンジェ）教授チームは7日、自在に曲げられる半導体回路の開発に成功したと明らかにした。
　曲がる半導体はフレキシブル・ディスプレーの中核部品となる。大量の情報を処理・保存できるよう数千個余りの高性能ナノ半導体を連結するため、高集積回路を形成する必要があった。
　従来の半導体素子のシリコンは曲げることができないため、曲げられる次世代の半導体素材として結合炭素原子シート「グラフェン」の研究が進められているが、商用化までに数十年かかるとみられていた。
　研究チームは高集積素子を単結晶のシリコン上に形成し、100ナノメートル（ナノは10億分の1）の非常に薄いシリコン回路層だけ残して基板下部を化学的に削ることで、自在に曲げられる半導体回路の開発に成功した。従来のシリコン半導体を利用できるため、数年以内に商用化できるという。
　研究成果は米学術誌「ACS　Nano」5月号（電子版）に掲載される。