同社は2004年5月には256メガバイト、2005年1月にも512メガバイトのモバイルDRAMを開発している。今回開発した製品は、2つの512メガバイトDRAMを搭載した既存の製品に比べ薄型で電力消費も抑えられるのが特長だ。リフレッシャー作動周期を温度により最適化することで待機電力の消耗をこれまでに比べ30%抑えたほか、データ読み込み時の電流量も30%以上カットした。厚さも20%以上薄型となった。 サムスン電子は、多機能高性能化が進むモバイル機器で重視される超低損失電力素子の開発に効果的に対応できると期待感を示した。来年から2ギガバイトクラスの大容量製品の需要が高まることが予想されるため、今回開発した1ギガバイト製品を基に、超小型メモリ市場で有利な位置を占めることができるものとみている。また、製造に当たっては既存のパッケージ利用が可能なため追加開発の必要がなく、開発期間の短縮と原価節減効果を得ており、高速メモリに対する市場の要求に迅速に対応できるものと期待される。
来年第2四半期から製品の量産に入り、現在50%水準のモバイルDRAMシェアをさらに拡大する計画だ。
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