ハイニックス今年の施設投資、3兆4千億ウォン計画

【ソウル6日聯合ニュース】ハイニックス半導体は6日、ことしは海外法人を含め3兆4000億ウォン（約2522億7000万円）規模の施設投資を計画していると公示した。ただ、今後の業況と経営環境により規模を変更する可能性があるとした。
　同社は昨年、2兆3000億ウォンの投資計画を発表したが、半導体好況とサムスン電子の攻撃的投資などを考慮し、1兆ウォン以上規模を拡大。半導体施設など3兆3800億ウォンを投資した。ことしの投資計画も昨年と同水準になる見通しだ。業界では、DRAMに2兆ウォン以上、NAND型フラッシュメモリーに1兆ウォンほどを投じるものと見込んでいる。
　ハイニックス関係者は、最近の半導体市況が弱含みなため、無理な攻撃的投資を行うのではなく、市場状況を見守りつつ規模を柔軟に調整する計画だと話した。