サムスンが3次元TSV技術適用DRAM開発、世界初

【ソウル7日聯合ニュース】サムスン電子は7日、3次元実装TSV（シリコン貫通電極）技術を適用した8ギガバイトDDR3 DRAMを世界に先駆け開発したと明らかにした。
　40ナノクラス2ギガビットのDDR3 DRAMを3次元実装TSV技術で積層したチップを搭載し、8ギガバイトDDR3 RDIMM（Registered DIMM）製品に開発したもので、最近、顧客企業のサーバーに装着し、製品性能テストを完了した。
　3次元実装TSV技術は、シリコンウエハーを厚さ数十マイクロメートルという極薄のチップに直接穴を開け、同一のチップを縦に重ね電極を通す、最先端のパッケージ方式。従来のワイヤーボンディング実装に比べ動作が速いだけでなく、チップの厚さを抑え、消費電力も減らすことができると、サムスン側は説明している。また、従来の製品に比べ2～4倍という大容量で、サーバーに搭載するメモリー容量を増やし、サーバーシステムの性能を最少でも50%以上向上できる。
　サムスン電子は来年以降、4ギガビット以上の大容量DDR3 DRAMにも3次元実装TSV技術を適用し、32ギガバイト以上の大容量サーバー用メモリー製品を拡大していく計画だ。