サムスンが20ナノNANDフラッシュ量産、業界初

【ソウル19日聯合ニュース】サムスン電子が、半導体業界で初めて20ナノクラス技術によるNAND型フラッシュメモリーの量産に入った。
　同社は19日、20ナノクラス工程32ギガビットのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリーの量産を先週末に開始したと明らかにした。20ナノクラスは、従来の30ナノクラスに比べ生産性が50%ほど高い。また同社関係者は、20ナノクラス専用コントローラーも同時に開発し、30ナノクラス製品と同水準の信頼性も確保したと説明した。
　量産に入った20ナノクラス製品は、まずは携帯用デジタル機器に使われるメモリーカード・SDカード用として発売した。20ナノクラス製品専用コントローラーを搭載した容量8ギガバイト以上のSDカードは、メモリーカード最速の書き込み速度、1秒当たり10メガバイト以上を実現する。
　サムスン電子は今後、20ナノクラス製品の割合を引き続き拡大し、容量4ギガバイトから64ギガバイトまでの製品群を取りそろえる方針だ。
　半導体事業部メモリー担当の趙秀仁（チョ・スイン）社長は、ことしは20ナノクラス製品でスマートフォン（高機能携帯電話）用の大容量、高性能プレミアム内蔵ストレージ市場はもちろん、高性能メモリーカード市場を先占し、フラッシュメモリー事業の競争力を高める計画だと話した。
　一方、2月に20ナノクラス64ギガビットのNAND型フラッシュメモリー開発を発表したハイニックス半導体は、第3四半期に製品量産に入る計画だ。米インテルとマイクロンテクノロジーの合弁会社、IMフラッシュ・テクノロジーズは、第2四半期中に量産に入る計画だ。