ハイニックス、世界最高性能のモバイルDRAM開発

【ソウル27日聯合ニュース】ハイニックス半導体は27日、54ナノ（1ナノは10億分の1メートル）技術を適用し、世界最高性能の1ギガビット（Gb）モバイルLPDDR2（Low　Power　DDR2）DRAM製品を開発したと明らかにした。同製品は、世界で初めて平均1．2ボルトの低電圧で1066Mbpsの超高速データ伝送速度を実現、工程技術や電圧、速度の面で世界最高性能を備えたモバイルDRAMだと同社は説明している。
　新製品は平均1．2ボルト、最大1．1ボルトの低電圧を実現でき、1．8ボルトを使用する既存のモバイルDRAM（DDR）の50%水準、PCDDR2製品の30%水準の電力で動く。また、映画5～6本を1秒でダウンロードできる世界最高水準のデータ伝送速度を備える。待機電力の消耗を減らしながらも早い速度が実現でき、UMPC（ウルトラモバイルPC）、PMP（ポータブルマルチメディアプレーヤー）、携帯電話などモバイルインターネットデバイスやネットブック、高性能スマートフォンなどに適しており、登載される機器の仕様に合わせて使用できる「ワンチップソリューション」機能も提供される。
　ハイニックスは第3四半期から新製品を量産する予定で、来年初めには40ナノ級LPDDR2製品を開発し、来年にはモバイルLPDDR2市場のシェアを30%以上拡大する計画だ。