サムスン電子、40ナノ級フュージョンメモリー開発

【ソウル10日聯合ニュース】サムスン電子は10日、40ナノ級（1ナノは10億分の1メートル）工程を適用した8ギガNAND型フラッシュメモリー「Flex－OneNAND」を開発したと明らかにした。
　「Flex－OneNAND」は、高速のSLC（シングルレベルセル）とギガ級大容量のMLC（マルチレベルセル）という2つの構造の特性を統合した次世代モバイルソリューション製品。ハイエンド携帯電話では、電源を入れた際にプログラムを支援するコード用のSLCと、写真や動画などデータ保存用のMLCを別途に使用しているが、「Flex－OneNAND」を用いればこれ1つで実行できるようになる。

　サムスン電子は2007年に60ナノ級4ギガ「Flex－OneNAND」製品を開発し、高性能スマートフォンのフュージョンメモリー市場を拡大した。今回開発した8ギガ「Flex－OneNAND」の量産を今月中に開始し、大容量ハイエンド携帯電話市場もフュージョンメモリー製品にシフトしていく方針だ。

　特に今回開発した製品は、フュージョンメモリーでは初めて40ナノ工程を適用。従来の60ナノ級4ギガ製品に比べ、生産性が約2．8倍向上した。製品競争力も1段階強化できたと、サムスン電子は評価する。長所は、携帯電話端末機メーカーが性能や容量を自由に指定しデザインできるという点。メーカーが大容量ストレージ内蔵製品を開発する場合、別途のソフトウェアがいらないように開発便宜性を最大限に高めた。

　またサムスン電子はことし、「OneNAND」製品も40ナノ級工程で1ギガ、2ギガ、4ギガ製品を量産し、他社より1～2世代先を行く製品競争力を維持していく計画だ。差別化された製品の需要増大に対応するため、ことし「OneNAND」は製品の2倍以上に生産を拡大する予定で、同社関係者は「これを基盤に、フュージョンメモリーの事業化力を強化するとともに、大容量カード市場の成長をけん引する」と話している。