サムスン電子、40ナノ級DRAMを世界初開発

【ソウル4日聯合ニュース】サムスン電子は4日、40ナノメートル（ナノは10億分の1）クラスのプロセスを用いたDDR2　DRAM製品を世界で初めて開発したと明らかにした。同社は2005年に60ナノクラスのDRAM開発に成功、2006年の50ナノクラスに次いで今年は40ナノクラスと、世界初開発の記録を伸ばしている。
　今回開発したDDR2は、昨年12月にDRAM供給メーカーとしては唯一、インテルによる単品採用評価を終えている。今年1月には1ギガバイトDDR2のSO－DIMMモジュール（ノートパソコンなど小型パソコンに用いられるメモリーモジュール）も製品採用評価を終えた。

　サムスン電子は、40ナノクラスの1ギガDDR2　DRAM開発技術を用いて40ナノクラス2ギガDDR3製品を年内に開発し、量産を開始する予定だ。これで昨年9月に量産を開始した50ナノ2ギガバイトDDR3に比べ、生産性が約6割向上する。

　同社関係者は、50ナノクラス製品が開発から量産までに2年要したのに対し、40ナノクラスでは量産までの期間を1年以上短縮するのは、現在の市場状況を積極的に打開しようという戦略の表れだと説明する。また、40ナノクラスはサーバーなど高電力を消費する場合に一層有用な高効率エネルギーソリューションを提供できるとし、業界最高レベルのコスト競争力確保はもちろん、環境配慮型製品の競争力強化につながると強調した。