サムスンが次世代NANDフラッシュ開発、標準化推進

【ソウル22日聯合ニュース】サムスン電子は22日、一般的に普及しているNAND型フラッシュメモリーに比べデータ処理速度が10倍速い「Toggle DDR2．0」インターフェース仕様の次世代高速NAND型フラッシュメモリー技術を開発し、来年から量産に入ると明らかにした。