【ソウル22日聯合ニュース】サムスン電子は22日、一般的に普及しているNAND型フラッシュメモリーに比べデータ処理速度が10倍速い「Toggle DDR2.0」インターフェース仕様の次世代高速NAND型フラッシュメモリー技術を開発し、来年から量産に入ると明らかにした。
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