ハイニックス、世界最高性能のモバイルDRAM開発

【ソウル27日聯合ニュース】ハイニックス半導体は27日、54ナノ（1ナノは10億分の1メートル）技術を適用し、世界最高性能の1ギガビット（Gb）モバイルLPDDR2（Low　Power　DDR2）DRAM製品を開発したと明らかにした。同製品は、世界で初めて平均1．2ボルトの低電圧で1066Mbpsの超高速データ伝送速度を実現、工程技術や電圧、速度の面で世界最高性能を備えたモバイルDRAMだと同社は説明している。