サムスン電子、40ナノ級フュージョンメモリー開発

【ソウル10日聯合ニュース】サムスン電子は10日、40ナノ級（1ナノは10億分の1メートル）工程を適用した8ギガNAND型フラッシュメモリー「Flex－OneNAND」を開発したと明らかにした。