フラッシュメモリとDRAMをひとつに、KAISTが開発

【ソウル14日聯合】韓国科学技術院（KAIST）の研究チームが、電源が切れても情報が消えないフラッシュメモリと速度が速く読み込みと書き込みが自由自在なDRAMの長所を、ひとつのメモリトランジスタで作動させる次世代フュージョンメモリー（Unified－RAM）を開発した。機能の複合化を実現し、製作コストが減る一方で集積度は高まった。