ＳＫハイニックス　第３世代１０ナノＤＲＡＭを来年量産へ

【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手ＳＫハイニックスは２１日、第３世代１０ナノクラス（１ナノは１０億分の１メートル）１６ギガビット（Ｇｂ）ＤＤＲ４型ＤＲＡＭ（半導体メモリー）の量産準備を今年中に完了し、来年から本格的に量産に入る予定だと明らかにした。　　サムスン電子が今年初めに第３世代１０ナノクラス８ギガビットＤＤＲ４型ＤＲＡＭを開発したのに続くもので、グローバル半導体市場の景気回復が予想される来年に備えた布石とみられる。　ＤＤＲは標準型ＤＲＡＭと比較したデータ処理速度の速さによって２型、３型などに分けられ、今回開発されたＤＲＡＭはＤＤＲ４型に第３世代１０ナノクラスの微細化を適用した。単一チップとして業界最大容量を実現し、ウエハー１枚から生産されるメモリーの総量も最大だとという。　これにより、製品の生産性は第２世代に比べ約２７%向上。第２世代８ギガビット製品で構成された同容量のモジュールに比べて電力消費を４０%削減できるようになった。　一方、サムスン電子は９月から第３世代１０ナノクラスＤＲＡＭの量産に入ったことが確認されている。　業界関係者は「サムスン電子とＳＫハイニックスは来年の半導体景気回復期に備えている」としながら、「シェアが拡大している微細化市場での接戦が予想される」と見通した。