同ラインではスマートフォンやタブレット型端末など、需要が急速に伸びている20ナノメートル(ナノは10億分の1)級以下のNAND型フラッシュ製品を生産する計画だ。
同社が海外に持つ半導体生産ラインは、米テキサス州のオースティン工場だけだ。
ラインの新設は、世界のメモリー半導体市場で中国の存在感が強まっていることも考慮したとみられる。NAND型フラッシュメモリーが搭載されるIT機器の中国生産が増える中、現地生産の拡大を通じ、対応速度や効率を高める狙いもある。同社は中国の地方政府と建設地選定に向けた交渉を始める計画だ。
韓国政府の承認手続きと中国との交渉が順調に進めば、2012年に建設を開始し、2013年に稼働させる目標を掲げている。
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