サムスン電子、世界で初めて20ナノDRAM量産へ

【ソウル聯合ニュース】サムスン電子は22日、世界で初めて回路線幅20ナノメートル（ナノは10億分の1）のDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）を今月から量産すると発表した。
　同社は製品を量産する京畿道の器興・華城工場で同日、記念式典を行う。記念式典には李健熙（イ・ゴンヒ）会長も出席する予定だ。
　同社は昨年5月から華城工場に次世代メモリー製品の生産に向け、「第16ライン」の建設を進め、最近完成した。同ラインではパソコン向けの半導体と、スマートフォン（多機能携帯電話）などモバイル機器向けのNAND型フラッシュメモリーを生産できる。