今年は1.2ボルトDDR3 DRAMと20ナノ(ナノは10億分の1)クラスの4GB(ギガバイト)DDR3 DRAM、20ナノクラス高性能NAND型フラッシュメモリーを搭載したエンタープライズSSD製品を発売するなど、微細工程化を通じ、消費電力を最小化したグリーンメモリーラインアップを大幅に拡大する予定だと紹介した。
また、来年以降は次世代DDR4 DRAMと「3D(立体)-シリコン貫通電極(TSV)」DRAM、400GB以上の大容量エンタープライズSSDソリューションを通じ、プレミアムメモリー市場を成長させていく計画だと明らかにした。
サムスンは特に、グリーンメモリーを導入すれば、費用削減に伴う効率の最大化はもちろん、環境問題解決にも貢献できることを強調した。
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