ハイニックス半導体、次世代DDR4　DRAM開発

【ソウル4日聯合ニュース】韓国の半導体大手・ハイニックス半導体は4日、業界の標準化団体、半導体技術協会（JEDEC）の規格に準拠した次世代DDR4　DRAMを開発したと発表した。回路線幅は30ナノメートル（ナノは10億分の1）台。
　DDR4　DRAMは市場主力製品のDDR3　DRAMよりデータ送信速度が2倍ほど速く、消費電力は大幅に少ない次世代のDRAM規格となっている。
　同社が開発したDDR4　DRAMは1．2ボルトの低電圧では業界初となる2400Mbpsの送信速度を実現し、従来より80%機能を向上させた。これは高画質映画4～5本を1秒で処理できる速度。1．5ボルトのDDR3　DRAMに比べ、消費電力も50%近く削減した。
　同社関係者は従来のパソコンとサーバー市場はもちろん、急成長しているタブレット端末市場でも高付加価値ソリューションを提供できると期待している。
　同社は2012年下半期（7～12月）からDDR4　DRAMを量産を開始する計画だ。
　市場調査機関のアイサプライはDDR4　DRAMがDRAM全体に占める割合は2013年は5%にすぎないが、2015年には50%を超え、市場の主力製品になると予想している。