512メガビットPRAMを用いたサムスン電子のMCP=(聯合ニュース)
512メガビットPRAMを用いたサムスン電子のMCP=(聯合ニュース)
【ソウル28日聯合ニュース】サムスン電子は28日、次世代メモリー半導体として注目されるPRAM(相変化メモリー)を世界で初めて携帯電話メーカーに供給すると明らかにした。
 サムスン電子が量産・供給する製品は、携帯電話のオペレーティングシステム(OS)を保存する、512メガビットPRAMを用いたMCP(マルチチップパッケージ)。
 PRAMはフラッシュメモリーの特性とDRAMの処理速度を兼ね備え、次世代メモリー半導体と呼ばれる。これまで携帯電話に多く使用されてきたNOR型フラッシュメモリーに比べ書き込み速度が約3倍速く、マルチメディアメッセージングサービス(MMS)、写真や動画撮影など、ファイル保存にかかる時間を大幅に短縮できる。動作方式がNORフラッシュと同じで、代替が簡単なメリットもある。サムスン電子はPRAM記憶素子として、ゲルマニウム、アンチモン、テルルを融合した新素材を独自に開発したほか、新概念の設計技術も導入し、処置速度を向上させた。
 半導体事業部の全東守(チョン・ドンス)副社長は、PRAM量産の意味について「モバイル機器に使われる40ナノ級以下NORフラッシュを代替するPRAM MCPソリューションをリリースすることで、携帯電話利用者に従来のフラットフォームをそのまま活用できる基盤を提供した」と説明した。モバイルメモリーはことしが最も重要な転換期だとし、来年はLPDDR2(低電力ダブルデータレート2)と次世代PRAM基盤の高性能ソリューションを提供する計画を示した。
 同社は、モバイル機器用PRAM市場規模はことしの1000万ドル(約9億3190万円)から2013年には5億5000万ドルに急増すると見込んでいる。今後は1ギガビット以上の大容量、高性能製品を開発し、デジタルオーディオプレーヤー、次世代記憶装置(SSD)、テレビなど多様な製品に採用する計画だ。



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