サムスン、40ナノプロセス4Gb　DDR3　DRAM量産

【ソウル24日聯合ニュース】サムスン電子が世界半導体業界で初めて、40ナノメートル級プロセスを用いた4ギガビット（Gb）DDR3　DRAMの量産に入った。昨年7月に40ナノ級2Gb　DDR3　DRAMの量産を開始してから7か月ぶりとなる。　
　サムスン電子は24日、昨年1月に50ナノ級プロセスを用いて世界で初めて開発した4Gb　DDR3　DRAMについて、今月から40ナノ級の最新プロセスで量産に入ったと明らかにした。このDRAMで、サーバー用の32ギガバイト（GB）・16GBモジュール、ワークステーション（高性能コンピューター）・デスクトップパソコン・ノートパソコン用の8GBモジュールなど、従来の製品より容量が2倍多い大容量メモリーモジュール製品を供給する。
　昨年7月に量産を始めた40ナノ級2Gb　DDR3　DRAMでは、最大容量16GBのモジュール製品を供給したが、4Gb製品の量産を受け、業界で初めて最大容量32GBのモジュールを供給できるようになった。
　また、4Gb　DDR3　DRAM搭載モジュールは、容量は増えるが消費電力は既存の同一容量製品よりも大幅に減る。同社は、サーバーで合計96GBのDRAMを使用した場合、40ナノ級4Gb　DDR3　DRAMを搭載したモジュールは40ナノ級2Gb製品を搭載したモジュールより電力消費量が約35%少ないと説明している。
　サムスン電子は4Gb　DDR3　DRAMの量産を機に、40ナノ級DDR　DRAMの比率を拡大する。サーバー・パソコン用に供給するDRAMのうち、上半期中に40ナノ級製品の割合を90%以上に引き上げる計画だ。