ハイニックス、世界初44ナノDDR3　DRAM開発

【ソウル8日聯合ニュース】ハイニックス半導体は8日、44ナノプロセスを用いた1ギガビットDDR3　DRAM製品を世界で初めて開発したと明らかにした。第3四半期から量産に入る。同製品は米インテルの規格と互換性を満たしており、近くインテルによりモジュール製品の認証に向けた実験も行われる予定だ。
　このDDR3　DRAMは、現在量産中の54ナノプロセス製品に比べ約50%以上生産性が高い。半導体市況が上向けば、ハイニックス半導体の市場支配力を画期的に高める製品になるものと期待される。同製品が支援する最大速度は、今後次世代DDR3の標準になると予想される2133メガビット毎秒で、さまざまな電圧を支援しているのが特徴だ。

　同社は第3四半期から同製品の量産に取り掛かり、2010年からはさまざまな容量のDDR3製品を大量生産する予定だ。また、DDR3製品の超高速動作、省エネ特性を強化し、大容量メモリーモジュール、モバイルDRAM、グラフィックDRAMに拡大適用していく。