ハイニックス初のNANDフラッシュ専用工場が完工

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ハイニックス初のNANDフラッシュ専用工場が完工
ハイニックス初のNANDフラッシュ専用工場が完工

清州第3工場のイメージ図=28日、ソウル(聯合)

同社初のNAND型フラッシュメモリー専用工場となる清州第3工場は、昨年4月に「第2の創業」宣言とともに着工、1年4か月を経て完成した。最高の投資効率性を誇る300ミリメートルラインを備え、清州第1、2工場の人材、付帯施設など各種インフラを共有する。

 第3工場の完工により、同社の300ミリウエハー生産能力は現在の月産約30万枚水準から50万枚水準に拡大される。最初に稼動を開始したM11ラインは月産4万枚規模のウエハー量産体制を備えており、40ナノ級の超微細工程で16ギガビット、32ギガビットなど大容量製品を生産する予定だ。

 金鍾甲(キム・ジョンガプ)社長はあいさつを通じ、半導体景気の回復はやや遅れているが、ハイニックスは技術と原価の競争力をさらに強化し、業界最高水準の研究開発者、戦略的提携の拡大、生産力の増進を通じ、未来成長動力の拡充を続けていくと強調した。

2008/08/28 14:08配信  Copyright 2008(C)YONHAPNEWS. All rights reserved.


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