【ソウル6日聯合】ハイニックス半導体は6日、スイスのニューモニクスと次世代NAND型フラッシュメモリーの技術と製品に対する包括的な共同開発契約を締結したと明らかにした。
 ニューモニクスはスイス・ジュネーブに本社を置くフラッシュメモリー生産会社で、米インテルのNOR型フラッシュメモリー事業部とSTマイクロエレクトロニクスのメモリー事業部が統合し3月に設立された。

 今回の契約で両社は向こう5年間、NAND型フラッシュメモリー製品群の拡大、新製品の設計、次世代技術の共同開発を通じ、NAND型フラッシュメモリー事業の競争力を強化することにした。

 ハイニックスは2003年4月に、STマイクロエレクトロニクスとフラッシュメモリーに対する戦略的提携契約を締結している。今回の契約拡大を通じ、NAND型フラッシュメモリーに対する包括的な共同開発をはじめ、携帯電話市場を狙ったモバイルDRAM分野でも協力を進める計画だ。

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