サムスンとDRAM技術差なくす、ハイニックス社長

【利川28日聯合】ハイニックス半導体の金鍾甲（キム・ジョンガプ）社長が28日、「今年はDRAM生産でサムスン電子に完全に追いつく」と宣言した。本社で開いた株主総会で述べたもの。中長期のビジョンと戦略を示しながら、「54ナノプロセスのDRAM生産準備が計画通り進んでおり、今年は技術開発・収率1位の企業（サムスン電子）との格差をなくす」と意欲を示した。同社は第3四半期に54ナノプロセスのDRAM生産を、サムスン電子は第2四半期末に56ナノプロセスDRAM生産を、それぞれ開始する予定とされる。
　ハイニックス半導体は以前に80ナノプロセスで、技術開発と量産はサムスン電子に遅れをとったものの、歩留まりで上回った経験を持つ。今年は50ナノ級の量産時期がサムスン電子とあまり差がない上、歩留まりについても66ナノプロセス利用時に習得したノウハウがあるため、金社長は追い上げに自信を見せている。

　ハイニックス半導体はまた、200ミリメートルウエハーファブの汎用半導体生産を中断し、300ミリメートルの生産割合を2012年までに95%に引き上げる計画だ。同社は現在、京畿道・利川と忠清北道・清州、中国の3か所で300ミリメートルラインを、5か所で200ミリメートルラインをそれぞれ運営している。金社長は合わせて、収益性を高めるため、昨年は売上高に占める割合が1%程度だったモバイルDRAMの生産を、今年は3～9%に拡大する計画を示した。

　市場の見通しについては、DRAMは第3四半期に価格の反騰が予想されるが、NAND型フラッシュメモリーが同時期に反騰するかについては見方が分かれていると説明した。ただ、下半期にはDRAMの供給過剰状態が大きく改善され、NAND型フラッシュメモリーの需給はバランスが取れるとの見通しを示した。