【ソウル聯合ニュース】】韓国の半導体大手、SKハイニックスと東芝は19日、次世代半導体の製造技術の共同開発をはじめ、全面的な協力体制を構築することで合意した。合意により、東芝が研究データの流出などで、SKハイニックスに約1000億円の損害賠償を求めた訴訟は取り下げられることになった。 SKハイニックスは同日、東芝と共同でナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術の開発に着手すると発表した。NILは半導体メモリーの製造工程における微細化の限界を克服する次世代技術。 東芝は3月、同社の研究データが流出した事件で、同社の元技術者と流出先のSKハイニックスに対し、データの削除や約1000億円の損害倍賞を求める訴えを東京地裁に起こしていた。合意により、SKハイニックスは東芝に2億7800万ドル(約332億円)を支払う。 SKハイニックスは「東芝との全面的な協力により、技術競争力を強化し、潜在的な経営不確実性を解消することになった」とコメントした。 半導体業界関係者は「グローバル市場での半導体のナノ工程技術の進化速度など、変化の激しい事業環境を考えれば、両社が消耗的な紛争にこだわるより、協力を通じて技術競争力を確保することが有利と判断をしたものとみられる」と評価した。 yugiri@yna.co.kr
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