SKハイニックス　6GbモバイルDRAMチップ開発

【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手、SKハイニックスは30日、6ギガビット（Gb）のLP（Low　Power）DDR3チップを世界で初めて開発したと発表した。このチップを4段重ねれば3ギガバイト（GB）のモバイルDRAM（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）となり、スマートフォン（多機能携帯電話）に搭載されるDRAMの性能をアップできる。
　サムスン電子が7月、世界に先駆け4Gbチップを6段積層した3GBのモバイルDRAMの量産に入ったが、これよりも消費電力が低減される。低消費電力・大容量が求められるモバイルデバイスに適したメモリーソリューションとして期待される。
　SKハイニックスはこの製品のサンプル供給を開始した。来年初めに量産に入る計画だ。
　現在のスマートフォンには主に2GBのDRAMが搭載されており、3GBのDRAMは来年上半期から本格的に採用される見通しだ。