売上高は前年同期比16.4%、前四半期比2.3%、それぞれ増加した。営業損益は前年同期の2635億ウォンの赤字から黒字転換し、前四半期比では476%増となった。
ハイニックスは、閑散期にもかかわらずパソコンとサーバー用DRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)の需要が増加し、増収となったと説明した。営業利益は、微細化と歩留まり向上によるDRAMとNAND型フラッシュメモリーの収益性改善が貢献した。1~3月期のDRAMの出荷量は前四半期比3%増加し、平均販売価格は4%上昇した。
同社は4~6月期について、モバイル顧客企業の新製品発売と中国スマートフォン(多機能携帯電話)市場の成長回復で、モバイル向けDRAMとマイクロチャンネルプレート(MCP)の需要増が見込めるとした。
市場をリードするため、DRAMの全製品群に20ナノ(ナノは10億分の1)プロセスルールを本格的に採用し、NAND型フラッシュも下半期に10ナノクラスの生産を進める計画だ。
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