SKハイニックス　STT－MRAMの商用化計画公表

【ソウル聯合ニュース】SKハイニックスは26日、次世代メモリー「STT－MRAM」を日本の東芝と共同で開発しており、2015年に最初の商用製品を発売する計画だと明らかにした。
　STT－MRAMはDRAMとNAND型フラッシュメモリーの特性を備えており、10ナノクラス以下の超微細プロセスで回路集積が可能だ。だが、DRAMとNAND型フラッシュメモリーの技術が発展を続け、コストが削減されれば、STT－MRAMが市場に出る時期はやや遅くなると見込まれる。