サムスン、20ナノ64GbNANDフラッシュ量産

【ソウル13日聯合ニュース】サムスン電子は13日、今月から業界で初めて、20ナノメートル（ナノは10億分の1）クラスのプロセスを用いた64ギガビット3ビットNAND型フラッシュメモリーを量産すると明らかにした。
　同製品は、昨年11月に業界初の量産に着手した30ナノクラス32ギガビット3ビット製品に比べ倍の容量で、生産性も60%以上高い。また「ダブルデータレート（DDR）1．0」を採用し、速度や安定性を向上させた。1枚のチップで8ギガバイトのデータを保存できるメモリー容量を実現し、従来の32ギガビット3ビット製品市場に代わり、大容量メモリー市場の拡大に貢献すると期待される。
　サムスン電子関係者は、大容量メモリー需要が急増している多機能携帯電話（スマートフォン）、タブレット型パソコン、半導体ドライブ（SSD）のほか、USBフラッシュドライブ、SDカードなど大容量メモリー製品市場を拡大できるソリューションが強化されたと評価した。
　同社は今後、NAND型フラッシュメモリー製品にダブルデータレート（DDR）を採用し、大容量・高性能メモリーを求める顧客の多様なニーズに対応し、市場の成長をリードしていく計画だ。