【ソウル22日聯合ニュース】ハイニックス半導体は22日、第1四半期の連結ベース業績を売上高2兆8214億ウォン(約2359億円)、営業利益7991億ウォンと公表した。四半期ベース売上高で過去最高だった昨年第4四半期(2兆7994億ウォン)を上回った。営業利益も第1四半期としては過去最高を記録した。
 前四半期比で売上高は1%、営業利益は13%、それぞれ増加した。営業利益率は約28%で、前四半期(25%)を上回った。
 ハイニックスは、全般的にメモリー半導体需要が堅調ななか、DRAM販売量の増加と価格の上昇が業績好調をけん引したと説明した。また、付加価値と生産性の高いDDR3 DRAMと微細加工製品の比率拡大が営業利益の増加につながったとした。
 ハイニックスの第1四半期DRAM平均販売価格は前四半期比3%上昇、出荷量は6%増えた。ただ、NAND型フラッシュメモリー製品は、出荷量は前四半期水準を維持しものの、平均販売価格が6%下落した。
 ハイニックスは、現在、主力メモリー製品の6割水準を占めるDDR3製品の生産比率を年内に8割以上に拡大する計画だ。また、30ナノクラス製品の開発を年内に完了させる。第1四半期DRAM売上高の50%を占めたモバイル、グラフィック、サーバー用DRAMなど高付加価値製品の比率も拡大し、収益性を高める。
 NAND型フラッシュ製品は、昨年8月に開発を終えた30ナノクラス製品の生産比率を上げ、ことし2月に開発した20ナノクラス製品の量産を下半期から開始する予定だ。また、NAND型フラッシュ製品の需要増に合わせ、月産5万枚の清州工場(忠清北道)のNAND型フラッシュ専用ラインの生産能力を8万枚以上に拡大する計画だ。



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