ハイニックス、新たな半導体パッケージング技術開発

【ソウル7日聯合ニュース】ハイニックス半導体は7日、貫通電極（TSV）技術を用いてウェハーレベルパッケージ（WLP）を2段に積層するパッケージング技術を世界で初めて開発したと明らかにした。
　この技術は、半導体素子製造の材料となるウェハーを加工し、ひとつずつチップを切り落とさずウェハーの状態で一度にパッケージ工程とテストを行った後、チップを切断するというもの。
　この方法はコストは減るものの、回路があるチップの上部分が裏返しになってモジュール基板に接触するため、チップを積層できないという問題があった。ハイニックス半導体は、ウェハーに穴を開けて電極を形成する貫通電極の技術を用いてこの問題をクリアした。
　この技術を用いれば高性能製品を製造でき、コストも削減可能と同社は期待している。今後は4段、8段以上の積層法も開発する計画だ。
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