世界初30ナノ級DDR3、サムスン電子が開発

【ソウル1日聯合ニュース】DRAM業界不動の1位の座を守るサムスン電子が、世界に先駆け30ナノメートル（1ナノは10億分の1）クラスのプロセスを用いたDRAMの開発に成功した。
　サムスン電子は1日、30ナノクラス工程適用の2ギガビットDDR3　DRAMを先月開発し、下半期から量産に入る計画だと発表した。
　同社は昨年1月に40ナノクラスDRAMを開発。その後1年で、30ナノクラスを実現した。50ナノクラス工程の開発から40ナノクラスの開発までには2年4か月かかっており、開発期間が大幅に短縮された。これまでDRAMのセル構造上、現在の生産工程では40ナノクラスDRAMが限界とされてきたが、これを1年で克服したと説明している。
　今回開発した製品は、生産性が従来の40ナノクラスに比べ約60%ほど高く、原価競争力は50～60ナノクラスの2倍以上。消費電力は50ナノクラスより約30%、40ナノクラスより15%以上少ない。すでに昨年12月に30ナノクラス2ギガビットDDR　DRAM単品とノートパソコン用3ギガバイトモジュール製品のサンプルを顧客に送り、先月中旬までに評価を終えた状態だ。
　今後、サーバーソリューションとしては1．35ボルトの電圧で1．6Gbps（ギガビット毎秒）の製品を、PCソリューションとしては1．866Gbpsの製品まで供給する計画だ。PCソリューションDRAMの最高動作速度は、60ナノクラスDDR2　DRAMの約3倍、40ナノクラスDDR3　DRAMとの比較でも、40%ほど速い。
　半導体事業部メモリー担当の趙秀仁（チョ・スイン）社長は、今回の開発成功で製造競争力格差を1年以上広げることができたと評し、これを足がかりに市場シェアを引き続き拡大していくと自信を示した。