サムスン「下半期に35ナノ級DRAMの量産開始」

【ソウル29日聯合ニュース】サムスン電子は29日、昨年実績の発表後にアナリストらと会議通話を行い、下半期中に35ナノ級DRAMの大量生産を開始する計画だと明らかにした。35ナノ級DRAMは40ナノ級に比べ6割ほど生産性が高い。サムスンのライバルメーカーは現在、40ナノ級の製品を市場に出している。
　趙南成（チョ・ナムソン）専務はことしの半導体市場について、全般的な市況は良いとの見方を示し、特に下半期には企業のパソコン買い替え需要などで半導体需要が非常に強まるだろうと述べた。容量単位で換算したDRAM生産量増加率をベースに、ことしはDRAMが45～50%、NAND型フラッシュメモリーは75～80%ほど成長するものと予測した。また、持続的に工程高度化に尽力し、下半期にはNAND型フラッシュメモリー製品のうち30ナノ台の製品が8割以上を占めることになると見込んだ。
　液晶パネル（LCD）部門の説明に立った趙容徳（チョ・ヨンドク）常務は、第8世代生産ライン「LCD8－2－2ライン」に対する新規投資の可能性について、「効率的な生産ラインの活用に集中し、市場動向に合わせて生産量を効果的に調節する」と説明した。
　3D（立体映像）テレビ部門では、ひとまず競争力があり消費者が好む「アクティブ・グラス」方式に集中し、ことしは200万台の販売を目指すと明らかにした。
　アクティブ・グラス方式は、3D用眼鏡の左と右のレンズを代わる代わる遮断し映像画面を時差を置いて見せるというもので、偏光フィルターを通して一つの画面を両目に半分ずつ伝達するパッシブ・グラス方式よりも画質が優れている。サムスン電子は今月、アクティブ・グラス方式のフルHD級40、46、55型3Dテレビ用パネル6種類を国内で初めて量産し始めた。
　趙常務はあわせて、1月の中国市場でのテレビ販売が昨年の2倍ほど多かったと紹介し、中国に大きな期待をかけていることをほのめかした。