尹順吉教授=3日、ソウル(聯合ニュース)
尹順吉教授=3日、ソウル(聯合ニュース)
【ソウル3日聯合ニュース】国内研究陣が、PRAM(相変化メモリー)の材料となる薄膜とナノワイヤを製造するメカニズムを究明することで、次世代不揮発性マルチレベルメモリー開発の可能性を開いた。 教育科学技術部が3日に明らかにしたところによると、忠南大学の尹順吉(ユン・スンギル)教授チームは、低温での化学気相成長法(CVD)を通じ、相変化材料のInSbTe系薄膜製造とナノワイヤ成長を調節し、高集積PRAM素子を応用する工程方法を開発した。 これまでの相変化材料に関する研究はほとんどがGeSbTe系を利用したものだった。高集積素子を作るCVD工程技術の確保に向け、集中的に進められてきたが、世界先進研究機関も、いまだ100ナノメートル級素子適用工程技術を確保できていない。また、GeSbTe系物質の基幹特許も先進国に集中しており、研究開発が困難だった。 尹教授チームは、大面積量産が可能な有機金属気相成長法(MOCVD)を利用し、約250度の低温での単純工程圧力調節を通じ、IeSbTe系材料からの薄膜蒸着とナノワイヤ製造に成功した。 また尹教授チームは、InSbTe系材料を利用しメモリー素子特性を分析した結果、マルチレベルのメモリー駆動特性が現れることを確認し、次世代不発揮性マルチレベルセルメモリー開発の可能性を開いた。 尹教授は、今回の研究は、国内学者だけで高集積工程技術開発の困難を克服し、低温MOCVD方法で単純工程圧力調節を行い、薄膜とナノワイヤを製造できる画期的な基幹工程技術を開発したという点に意味があると説明した。 この研究結果は、ナノ分野の世界的科学ジャーナル「ナノレターズ」電子版最新号に掲載された。 japanese@yna.co.kr
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