サムスン電子、来年は半導体プロセス高度化に集中

【ソウル30日聯合ニュース】サムスン電子は30日、来年は半導体工程の高度化に集中し、競合メーカーとの技術格差を広げていくとの方針を明らかにした。第3四半期業績発表後にアナリストらと電話会議を行い、来年は半導体部門の生産量拡大よりも40ナノ級DRAMなどのプロセス高度化に拍車をかけ、価格競争力を高めることに注力するとの考えを固めた。
　同社の趙南成（チョ・ナムソン）専務は、来年度半導体分野の予想投資額は5兆5000億ウォン（4232億円）程度とし、大部分をNAND型フラッシュメモリーやDRAMメモリーのプロセス高度化に投じると話した。来年の発売を目標に35ナノ級製品も準備していることも明らかにしたほか、40ナノ級製品の割合はことしの10%台から来年末には50%まで拡大するとした。
　サムスン電子は、こうしたプロセス高度化を通じ、DRAM市場シェアを現在の36%から40%台に引き上げたい考えだ。
　このほか、LCD（液晶表示デバイス）部門も来年、3兆ウォン以上を投資する計画だ。2011年の量産を目標に進めている中国・江蘇省工場建設に相当額を執行し、国内設備改善に一部を回す見通し。
　サムスン電子のことしの施設投資は、米国発金融危機の影響で2003年以降最も小規模の7兆ウォン（連結ベース）程度にとどまると予想されている。2004年から昨年までは毎年8兆～10兆ウォン（本社単体ベース）を執行してきた。来年度投資を2007年（6兆7400億ウォン）水準と決定したのは、当面は半導体市場で供給不足が見込まれ、LCDも一部供給過剰があるものの全体的には市況は悪くないと判断したためとみられる。
　サムスン電子は台湾、日本、米国の半導体メーカーがいまだDDR2　DRAM製品を主力としているなかで、次世代DDR3　DRAMへの転換速度を上げ、40ナノ級以下のプロセスを強化し、技術格差を広げる戦略だ。
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