サムスン電子、50ナノ2ギガビットDRAM量産へ

【ソウル29日聯合】サムスン電子は29日、世界で初めて50ナノプロセス技術を用いた2ギガビット（Gb）DDR3　DRAMの量産を来月から開始すると明らかにした。50ナノプロセス技術は、半導体回路と回路間の幅（回路線幅）が50ナノメートル（ナノは10億分の1メートル）の先端半導体製造プロセス。
　同製品は、昨年サムスン電子が開発した60ナノ2ギガビットDDR2　DRAMの最大速度（800Mbps、1秒当たり800メガビットのデータ処理）より、1．6倍速い1333Mbpsを実現できる。また、50ナノプロセス技術によりチップのサイズも小さくなり、生産効率が60%以上向上すると同社は説明している。　

　サムスン電子は50ナノプロセス技術による2ギガビットDDR3　DRAM発売を機に、パソコン市場からプレミアサーバー市場に至るまで、この先DRAM市場の主力製品になるDDR3製品群で主導権を確保できるものと見込んでいる。