このほど発表されたサムスン電子の第2四半期業績によると、半導体部門は連結ベースで売上高5兆2400億ウォン（約5606億円）、営業利益は3000億ウォンを達成、前四半期比で7．5%と50．0%それぞれ伸びた。メモリーではDRAMの68ナノプロセス、NANDフラッシュの51ナノプロセスが占める割合が拡大し、地道な歩留まり改善でコスト削減効果が上がり業績が改善された。また、システムLSIでもディスプレー駆動チップ（DDI）、スマートカード、CMOSイメージセンサー（CIS）などの需要好調が好業績を維持するのに役立ったと説明している。こうした業績は特に、半導体市場の不景気で業界が苦戦を強いられている中で得られた結果とあって高く評価される。
一方、東芝は29日に発表した4～6月期の業績によると、半導体の売上高は2915億円（約2兆9000億ウォン）で、営業利益は302億円（約3000億ウォン）の赤字を出した。市場シェアでリードするサムスン電子が東芝より売上高が多いのは当然だが、同じ期間にサムスン電子が営業利益で50%成長を記録したのに対し、東芝が赤字に転落したことが目を引く。東芝の赤字は、システムLSI部門での業績悪化とNANDフラッシュの販売価格下落による売上高減少が主因と分析される。
世界のメモリー市場はこの2社とハイニックス半導体で半分以上占めており、各社の業績は半導体市場の版図にも少なからず影響を及ぼす。市場調査機関のアイサプライは、第1四半期のメモリー市場はサムスン電子のシェアが30．5%でトップ、次いでハイニックスが13．4%、東芝が8．7%としている。NANDフラッシュはサムスン電子（42．0%）、東芝（27．3%）、ハイニックス（15．0%）の順だ。31日に発表されるハイニックスの第2四半期業績が注目される。
一方、サムスン電子は下半期について、DRAMの56ナノとNANDフラッシュの42ナノの量産本格化でコスト競争力を強化し、プレミア製品の差別化で販売価格の改善を追求するなど収益性を高める方針を示している。同時に、メモリー市況の回復をにらみ7兆ウォン以上の施設投資計画を予定通り進める考えだ。
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