サムスンとハイニックス、次世代半導体を共同開発へ

【ソウル25日聯合】サムスン電子とハイニックス半導体が、次世代半導体の開発、国際標準化の推進、装備・材料の国産化拡大で技術協力することに合意した。知識経済部が25日に明らかにした。
　両社は9月から、テラビット級の次世代半導体の基幹技術開発を目指し共同研究開発を始める。スピン注入磁化反転方式のMRAM（STT－RAM）市場が2012年に形成されるとみて、重点的に開発を進めるもの。このメモリは不揮発性だがSRAM級の速度も可能だ。開発方法としては、業界が素材開発と性能評価を行い、政府が共同研究インフラ装備の投資を支援することになる。STT－RAMの基幹技術はまだ初期開発段階だが、2012年までに確保できればロイヤルティを年間5000億ウォン（約52億円）程度削減できると見込まれる。

　また両社は、半導体装備・材料の実質的な国産化率を高めるために戦略を立て、来年までに総額6463億ウォン相当の国産装備・材料を追加調達することにした。

　あわせて知識経済部と半導体業界は、大企業と中小企業間の技術支援による半導体装備・素材の国産化拡大を目指し、初めて業界共同の標準化戦略を推進すると決めた。業界では2012年以降の半導体生産が450ミリメートルのウエハー工程に転換するものと予想し、その装備と材料に対する国際標準を先占したい考えだ。8月中に産学官共同で協議会を構成し、分野別に実務グループを運営する。

　このほか、国内3大メーカーのサムスン電子、ハイニックス、東部エレクトロニクスは、昨年から進めてきた国内装備・材料の性能評価支援事業を今年下半期から質的に拡大することにした。