次世代IT整備・材料を開発、ナノセンター開発

次世代半導体・ディスプレー分野の装備・材料技術開発と基幹技術の商用化を担う大型研究・開発（R＆D）インフラ「ナノ技術集積センター」が、来月から本格稼動する。産業資源部は30日、慶尚北道浦項の浦項工科大学でナノセンター開設式を行った。金栄柱（キム・ヨンジュ）長官、サムスン電子の李元成（イ・ウォンソン）副社長、ハイニックス半導体の朴星ウク（パク・ソンウク）副社長らが出席した。
　このセンターのほか、現在光州市と全羅北道地域で設立が進められているナノセンターは、半導体・ディスプレー分野の装備と材料の次世代技術開発と商用化、性能評価と標準化を支援する。業界共同のR＆Dインフラとして2004年から開設事業が開始された。政府資金900億ウォンを含む2648億ウォンが投じられる。浦項センターでは極紫外線露光技術（EUVL）を用いた次世代半導体素材とフレキシブルディスプレーなどの中核材料開発に力を入れることになる。国内唯一の加速器研究所と連携しての、20ナノ以下の次世代半導体の中核材料・工程の開発に期待がかかる。

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　一方、光州ナノセンターと全北ナノセンターは、それぞれ9月と来年上半期の開所を予定している。


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