サムスン、51ナノ16GBNANDフラッシュ量産

サムスン電子は29日、51ナノ工程を適用した世界最大容量16ギガバイトのマルチレベルセル（MLC）NAND型フラッシュメモリーの量産を開始したと明らかにした。業界最少回路幅を適用し、55～57ナノが主流となっている他メーカーの50ナノクラス製品の先を行く工程だという。

　同製品は32ギガバイトのメモリーカードを搭載した場合、DVDクラスの映画20本（約32時間）、デジタル音楽ファイルなら8000曲、日刊紙では200年分のデータを保存することができる。既存の60ナノクラス製品に比べ約60%の生産性向上が可能で、2キロバイトを基本単位として駆動する60ナノクラス製品とは異なり、4キロバイトを基本単位としてデータ処理を行うほか、データの読み込み、書き込みも約2倍速い。同社はこのデータ処理単位変更に合わせ、新製品の発売とこれを支援するソフトウェアも提供する予定だ。


　サムスン電子は、今回の51ナノ16ギガNAND型フラッシュメモリー量産が、最近のNAND型フラッシュメモリー価格の上昇とともに半導体部門の収益性改善にプラスに働くものと期待している。また、昨年40ナノクラス32ギガ製品を世界に先駆け開発したのに続き、今年は業界初の16ギガ製品量産を開始したことで、競合メーカーの一歩先を進み次世代NAND市場占有を目指すと意欲を示している。

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