ハイニックス半導体が開発に成功した世界最小、最高速のモバイルDRAM=4日、ソウル(聯合)
ハイニックス半導体が開発に成功した世界最小、最高速のモバイルDRAM=4日、ソウル(聯合)
ハイニックス半導体は4日、世界最小、最高速の200メガヘルツ512メガバイトのモバイルDRAMを開発したと明らかにした。

 モバイルDRAMは主に携帯電話端末機に搭載されるメモリで、携帯電話のバッテリーの寿命を考慮した低電力設計が特徴だ。一般的にコンピューターに装着されるメインメモリの使用電力に比べると最小で100分の1程度となる。

 今回開発された製品は、従来の製品より処理速度が約1.5倍速く、大きさは10ウォン硬貨の8分の1程度に抑えられている。同社は、携帯電話が第3世代に移行したことで、移動マルチメディア放送(DMB)、テレビ電話利用、動画処理のために要求される大容量・高速化という条件を十分満たすものと評価している。また、NAND型フラッシュメモリとDRAMを1つのチップに統合したマルチチップパッケージ(MCP)メモリにもこの製品を用いる予定で、さらなる小型化が実現されれば、スリム化が進む携帯電話端末機への搭載が有利になる。

 同社関係者によると、現在は主要モバイルチップセットメーカーによる認証が最終段階に入っている。今後は世界半導体標準機構(JEDEC)標準規格をリードするものと期待される。


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