ＳＫハイニックス　３Ｄさらに進化させたＮＡＮＤ型メモリー開発

【ソウル聯合ニュース】韓国半導体大手、ＳＫハイニックスは４日、3次元（３Ｄ）構造のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに主に用いられるＣＴＦ（チャージ・トラップ・フラッシュ）という構造にＰＵＣ（Ｐｅｒｉ　Ｕｎｄｅｒ　Ｃｅｌｌ）という技術を加えた９６層・５１２ギガビットの「ＴＣＬ（トリプル・レベル・セル）４Ｄ・ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」を世界で初めて開発したと発表した。　同社は初めてＣＴＦ基盤とＰＵＣを組み合わせたことによる差別性を強調するため製品に「４Ｄ」の名を用いたと説明した。既存の７２層・５１２ギガビットの製品と比べチップのサイズを３割小さくしたほか、ウエハー当たりのビット生産を１．５倍水準に向上させたという。　またデータの処理能力は業界最高水準の６４キロバイトで、書き込みと読み込み能力は７２層製品と比べそれぞれ３０%、２５%向上したという。　同社の幹部は「年内に最初の量産を行い、最近完成した清州工場のＭ１５ラインで本格量産に入る計画」と話している。