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サムスン電子、世界初８０ナノＤＲＡＭ量産を開始
2006年3月13日17時26分配信
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サムスン電子、世界初８０ナノＤＲＡＭ量産を開始
サムスン電子が量産を開始した８０ナノＤＤＲ２　ＤＲＡＭ＝１３日、ソウル（聯合）
サムスン電子は１３日、世界に先駆け８０ナノ工程を適用した５１２メガバイトＤＤＲ２　ＤＲＡＭの量産体制に入ったと明らかにした。

　８０ナノＤＲＡＭ工程は、２００３年９月にサムスン電子が世界で初めて開発したもので、ＤＲＡＭの集積度やデータの保有特性を改善できる３次元トランジスタ技術が適用される。これにより、現在の主力工程となっている９０ナノ工程に比べ生産性が５０%以上改善されるほか、技術上の追加投資規模も最小化されるという。



　サムスン電子は、２００３年に業界初の１００ナノ工程でのＤＲＡＭ量産に突入した後、２００４年には９０ナノ工程を開始し、３世代連続でナノＤＲＡＭ技術の最先端を走っている。また昨年７０ナノＤＲＡＭ技術も開発しており、下半期にはこれを適用した製品を量産する計画だ。



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