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サムスン電子、世界初80ナノDRAM量産を開始
2006年3月13日17時26分配信
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サムスン電子、世界初80ナノDRAM量産を開始
サムスン電子が量産を開始した80ナノDDR2 DRAM=13日、ソウル(聯合)
サムスン電子は13日、世界に先駆け80ナノ工程を適用した512メガバイトDDR2 DRAMの量産体制に入ったと明らかにした。

 80ナノDRAM工程は、2003年9月にサムスン電子が世界で初めて開発したもので、DRAMの集積度やデータの保有特性を改善できる3次元トランジスタ技術が適用される。これにより、現在の主力工程となっている90ナノ工程に比べ生産性が50%以上改善されるほか、技術上の追加投資規模も最小化されるという。



 サムスン電子は、2003年に業界初の100ナノ工程でのDRAM量産に突入した後、2004年には90ナノ工程を開始し、3世代連続でナノDRAM技術の最先端を走っている。また昨年70ナノDRAM技術も開発しており、下半期にはこれを適用した製品を量産する計画だ。



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